電沉積三氧化鎢薄膜電流-時(shí)間變化

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三氧化鎢薄膜電沉積過程中是有電流-時(shí)間變化曲線。從圖中可以看出，沉積WO3薄膜的平均電流密度，在無PS球模板的ITO玻璃表面要大于有PS球模板的ITO玻璃表面。這是由于ITO玻璃表面被PS球模板遮擋后，使可以發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)的有效面積減少。對于無PS球模板的ITO玻璃，電流密度先升至峰值然后快速降至一個(gè)穩(wěn)定地水平。而對于有PS球模板的ITO玻璃，雖然在最初階段電流也是先升后降，但是在達(dá)到最終的穩(wěn)定水平前，經(jīng)歷了一個(gè)較緩慢的上升過程。這種差異可以解釋為有PS球模板的形貌效應(yīng)，即電化學(xué)有效面積先下降，待薄膜覆蓋到PS球的一半高度時(shí)，有效面積又開始上升，最后完全覆蓋PS球，使電化學(xué)反應(yīng)面積保持恒定。這種效應(yīng)提示我們選取的沉積時(shí)間小于400s可以得到開口的WO3陣列，而更長的時(shí)間則有可能形成表面充滿、內(nèi)部中空的薄膜。

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