化學(xué)氣相沉積法制備三氧化鎢

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化學(xué)氣相沉積法的基本原理是利蒸鍍材料或?yàn)R射材料來(lái)制備薄膜，所得薄膜除了從原材料獲得組成元素外，還在基片上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，獲得與原成分不同的薄膜材料。用該方法可以制備不同材料的薄膜，如硅化物、氮化物、氧化物等。根據(jù)材料的不同，選擇相應(yīng)的溫度、壓力、氣體濃度等重要的參數(shù)。

A Szekeres等用作為W（CO）6原料在反應(yīng)室中分解，加熱產(chǎn)生蒸氣，再用Ar載氣將產(chǎn)生的蒸汽流載入使三氧化鎢沉積在基體上。所得薄膜為兩層，第一層在低于400℃熱處理為無(wú)定形態(tài)，第二層在500℃退火得到多晶結(jié)構(gòu)。光學(xué)性能有一定的提高，這是由于薄膜呈多孔狀，有利于離子遷移。Z Dimitrova等人采用低溫CVD法，將W（CO）6粉體放入升華容器，置丁硅油中，溫度為110℃。用Ar氣輸送蒸汽到反應(yīng)室中沉積在基片上制得電致變色三氧化鎢薄膜，使用高頻率發(fā)生器和溫控器調(diào)節(jié)沉積溫度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明沉積溫度和氧流速對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)，密度和內(nèi)應(yīng)力有一定影響。研究結(jié)果顯示當(dāng)氧流速較高時(shí)，隨著薄膜密度的下降，薄膜傳輸變大。化學(xué)氣相沉積過(guò)程中，可以利物理激勵(lì)，使氣體活化，而其主要的方式有等離子體激勵(lì)和光激勵(lì)。等離子體的激勵(lì)作在丁使氣體等離子化，從而降低了反應(yīng)所需的溫度；也可以使得形成薄膜的組分、摻雜達(dá)到的水平得到準(zhǔn)確控制，進(jìn)而使得薄膜的組分能夠達(dá)到最佳理想化學(xué)配比；還可以在具有復(fù)雜形狀的某些基片上得到沉積膜；提高薄膜的沉積溫度將會(huì)大火地改善形成薄膜晶體在結(jié)晶過(guò)程中的完整性；沉積薄膜的過(guò)程也可在一些尺寸較大的基片成者是多基片上來(lái)進(jìn)行但娃這樣的方法也有成本較高，實(shí)際操作困難的缺點(diǎn)，且由丁等離子體過(guò)程中，高能粒子對(duì)基片轟擊，會(huì)對(duì)器件質(zhì)造成影響等不適合業(yè)化大規(guī)模薄膜的制備。

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