納米線陣列三氧化鎢薄膜具有更好的電致變色性能

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納米樹等級結構陣列和納米線陣列三氧化鎢薄膜的電致變色性能有很大提高。分別用水熱氧化法和水熱合成法制備了納米樹等級結構陣列薄膜和納米線陣列薄膜。用水熱氧化法直接在金屬鎢片上生長納米樹等級陣列薄膜，薄膜具有六方晶系，并在500℃以下熱處理可保持晶體結構不變。六方結構三氧化鎢中存在的六角形和三角形離子通道，有利于離子在其中的擴散納米樹等級結構既有開放性的多孔表面與電解液充分接觸，又與導電基底緊密連接，因此表現出了優異的電致變色性能。400℃熱處理的薄膜的反射率調制范圍達30%變色效率為436.6cm2C-1。用水熱合成法在FTO玻璃表面沉積了三氧化鎢薄膜，通過調整結構控制劑的濃度，可獲得不同形貌和結構的三氧化鎢薄膜或者粉體。在優化的條件下（0.2硫酸銨，180℃反應4h），可以制備具有納米線陣列形貌的三氧化鎢薄膜。相比于不加硫酸銨所制成的“微米磚”薄膜，納米線陣列薄膜具有更佳的電致變色性能。三氧化鎢納米線陣列薄膜在633nm的透過率調制范圍為58%，電致變色效率高達102.8cm2C-1，而“微米磚”薄膜分別只有45%和24.5cm2C-1。納米線陣列薄膜同時表現出了很快的變色響應速度，著色時間7.6s褪色時間4.2s。電化學阻抗分析結果表明薄膜具有更高的電化學活性和電極反應動力。

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