傳統的二硫化鉬薄膜制備方法是將MoS2材料是采用CVD法在Si襯底上制備然后移植到其它材料上（如GaN襯底）。這種技術雖然簡單易行，通用性強，但是卻具有非常致命的缺點，就是MoS2材料與襯底材料的結合力比較差，轉移過程中會引入額外的缺陷，降低產品質量，另外轉移移植過程也相當繁瑣。因此，這樣所制得的材料也就無法廣泛應用于電力電子領域甚至是發光領域。針對上述的不足，下文將為大家介紹一種MoS2薄膜的新制備方法。
以GaN為襯底制備二硫化鉬薄膜的方法，使用CVD法在所述襯底表面生成MoS2薄膜；所述生成MoS2薄膜的過程為：以硫粉和MoO3為原料、高純氬氣為載流氣體，在所述襯底上沉積MoS2薄膜。
該制造方法的注意事項如下：
（1）襯底在使用之前應先進行清洗，清洗過程為：將襯底依次進行丙酮超聲清洗、乙醇超聲清洗、硫酸和硝酸混合液清洗、鹽酸和雙氧水混合液清洗、氫氟酸溶液清洗。
（2）所述生成MoS2薄膜的反應溫度為600—700°C，反應時間為5—10分鐘。
（3）M0S2薄膜的層數為單層，所述硫粉和MoO3的質量比為50：1；薄膜的層數為雙層，硫粉和MoO3的質量比為30：1；薄膜的層數為大于等于三層，硫粉和MoO3的質量比為15：20：10.
（4）M0S2薄膜的每一層厚度為0.7—0.8nm；單層薄膜的能帶帶隙為1.82eV。
與現有技術相比，該生產技術的優勢有：以GaN為襯底，有效結合了GaN本身的特性，保證了硫化鉬材料與襯底材料之間的結合力，使轉移過程中不會引入額外的缺陷，提高了制得的MoS2薄膜的質量；再通過調整制備過程中的各反應參數或者原料質量比，進一步提高了制得的薄膜的質量?？偟膩碚f，該新方法的操作步驟較簡單，且產品質量較高，較適合能滿足電力電子領域和發光領域對無機納米膜材料的質量要求。
