金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻和高效能量轉(zhuǎn)換的特點(diǎn)，在電力電子、通信設(shè)備、汽車電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，MOSFET在高功率應(yīng)用場景下會產(chǎn)生大量熱量，若散熱不及時，會影響其性能和使用壽命。
因此，封裝材料的選擇至關(guān)重要。在MOSFET封裝中，鉬銅（Mo-Cu）合金憑借其優(yōu)異的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)（CTE）和良好的機(jī)械性能，成為關(guān)鍵的封裝材料之一。
在高功率和高頻應(yīng)用中，MOSFET封裝需要滿足以下要求：
1.高導(dǎo)熱性
由于MOSFET工作時會產(chǎn)生熱量，封裝材料需要具備良好的熱導(dǎo)率，以便快速將熱量傳導(dǎo)至散熱器，防止器件過熱。
2.低熱膨脹系數(shù)匹配
MOSFET芯片通常由硅（Si）或碳化硅（SiC）制成，熱膨脹系數(shù)（CTE）較低（Si約為2.6 × 10??/K）。封裝材料的CTE應(yīng)與芯片匹配，以減少熱循環(huán)過程中產(chǎn)生的界面應(yīng)力，提高可靠性。
3.高機(jī)械強(qiáng)度和穩(wěn)定性
MOSFET封裝材料需具備良好的機(jī)械強(qiáng)度，以應(yīng)對封裝過程中以及工作環(huán)境中的機(jī)械應(yīng)力，防止開裂或損壞。
4.優(yōu)異的電性能
MOSFET在高頻、高功率條件下運(yùn)行，封裝材料應(yīng)具有良好的導(dǎo)電性，降低寄生電阻和功耗，提高電能轉(zhuǎn)換效率。
鉬銅合金在MOSFET封裝中的主要應(yīng)用部件包括：
1.散熱片（Heat Spreader）
MOSFET在高功率運(yùn)行時，散熱片的作用至關(guān)重要。Mo-Cu合金作為散熱片材料，可以高效地傳導(dǎo)MOSFET產(chǎn)生的熱量，降低芯片溫度，提高工作效率。
2.基板（Substrate）
在MOSFET封裝中，Mo-Cu合金基板可作為芯片與散熱片之間的熱緩沖層。
由于其良好的熱膨脹匹配性，Mo-Cu基板能有效減少界面熱應(yīng)力，延長MOSFET的使用壽命。
3.引線框架（Lead Frame）
Mo-Cu合金可用于MOSFET封裝的引線框架，為芯片提供可靠的機(jī)械支撐，同時確保電流傳輸?shù)牡蛽p耗。
