鉬銅片是一種以金屬鉬（Mo）和銅（Cu）為主要組成元素的合金材料，是通過粉末冶金、熔滲等工藝形成的具有協同性能的功能材料，其微觀結構通常呈現鉬相與銅相的均勻分佈或鉬骨架中填充銅的複合形態。從材料科學角度看，鉬銅片結合了鉬的高熔點、低膨脹係數與銅的高導熱性、導電性，通過成分比例與製備工藝的調控，可實現性能的定向設計，滿足不同領域的特殊需求。
中鎢智造鉬銅片圖片
鉬銅片具有高導熱性、高導電性、高強度、低膨脹係數和耐高溫性等特點。銅的導熱係數賦予鉬銅片優異的散熱能力，當銅含量為20%時，熱傳導率可達 170W/(m?K)。鉬的熱膨脹係數較低，通過調整鉬銅比例，可使材料的膨脹係數與矽、砷化鎵等半導體材料形成良好的匹配，避免因溫度波動產生的熱應力導致器件開裂。銅的高導電性使鉬銅片在保持低膨脹的同時，具備良好的導電能力，可作為電路互連材料。
鉬銅片的生產方法包括粉末冶金法和熔滲法等。粉末冶金法是製備鉬銅片的主流工藝之一，具體為將高純度鉬粉與銅粉按一定的比例均勻混合，通過模壓或等靜壓製成坯體，再在氫氣或真空環境中燒結，利用銅熔點低的特性填充鉬顆粒孔隙，形成鉬骨架-銅填充結構。熔滲法以多孔鉬骨架為基體實現鉬銅複合：先將鉬粉壓制成具有一定孔隙率的坯體，經高溫燒結形成多孔骨架；再將其置於模具中加熱，使液態銅在毛細管力作用下滲透到骨架孔隙中，冷卻後形成緻密複合材料。
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鉬銅片可用於功率電晶體、積體電路、發光二極體的散熱基板，例如5G基站用高功率晶片的散熱載體，利用其高導熱性快速匯出熱量，同時低膨脹係數避免晶片與基板的熱失配。在混合積體電路中，鉬銅片可作為封裝外殼的底座或引腳框架，替代傳統的可伐合金，減少因熱迴圈導致的焊點疲勞失效。
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