鉬銅合金的具體性能受其成分配比的影響較大，不同的鉬銅配比會直接影響其熱學、機械和電學特性，從而影響電子封裝性能。
對熱學性能的影響
在電子封裝中，散熱性能至關重要，特別是在高功率電子器件中，封裝材料的熱導率直接決定了器件的穩定性和壽命。鉬銅合金的熱導率隨銅含量的增加而提高，但同時也會導致熱膨脹係數上升。例如：
Mo70Cu30（70% Mo, 30% Cu）合金的熱導率約為 120 W/m·K，熱膨脹係數約為 7.8 × 10??/K。
Mo50Cu50（50% Mo, 50% Cu）合金的熱導率約為 180 W/m·K，熱膨脹係數約為 9.5 × 10??/K。
Mo30Cu70（30% Mo, 70% Cu）合金的熱導率可達 250 W/m·K 以上，但其熱膨脹係數也增大至 12 × 10??/K 左右。
對於需要高導熱性的封裝材料，例如大功率半導體器件，通常採用Mo50Cu50或Mo40Cu60，以在保持較高導熱性的同時，避免因熱膨脹失配導致的介面應力問題。
對機械性能的影響
鉬的硬度較高，而銅的延展性較好，不同Mo-Cu配比會影響材料的機械性能。例如：
Mo含量高（>70%）：材料硬度高，機械強度大，但脆性增加，加工難度較大，適用於對強度要求較高的封裝，如航空航太用電子封裝。
Mo-Cu均衡（50:50）：兼具較高的機械強度和一定的韌性，加工性較好，是較常見的封裝材料比例。
Cu含量高（>70%）：材料較軟，易加工，但耐高溫性能下降，適用於低功率電子封裝。
對電學性能的影響
鉬的電阻率較高，而銅的導電性較好，因此Mo-Cu合金的電阻率隨著Mo含量的增加而增大。例如：
Mo30Cu70的電導率較高，適用於對電流傳輸要求較高的電子封裝。
Mo70Cu30的電阻率較大，適用於需要遮罩或降低電流洩漏的應用。
在射頻（RF）和微波封裝中，Mo50Cu50或Mo40Cu60較為常見，因為它們在導電性和機械強度之間取得了良好的平衡。
不同鉬銅配比的合金在電子封裝中的選擇取決於具體的應用需求：
高功率器件（IGBT、LED基板）：推薦Mo50Cu50或Mo40Cu60，以保證較高導熱性和適中的熱膨脹係數。
高可靠性封裝（航空航太、軍用電子）：推薦Mo70Cu30，以提供更低的熱膨脹係數和更高的機械強度。
射頻與微波封裝：推薦Mo40Cu60或Mo30Cu70，以優化導電性和導熱性。
