南通同方訂購VEECO MOCVD進行硅基氮化鎵LED研究
Veeco公司日前宣布南通同方半導體有限公司已收到了Veeco的TurboDisc® K465i™ MOCVD設備用于研究硅基氮化鎵HB LEDs。該設備已交付于同方位于中國南通的新LED技術研發中心。
南通同方半導體的總經理劉剛博士表示：“目前我們正成功地使用Veeco的MOCVD設備生產基于藍寶石襯底的氮化鎵LED，而LED將是我們接下來幾年科研投資的重要焦點。”
Veeco高級副總裁Jeff Hawthorne表示：“很多LED客戶正在發展硅基氮化鎵技術，該技術在不犧牲最終產品性能的情況下降低了LED制造成本，提供了加快普及固態照明的可能。”
據Veeco公司介紹，K465i的特點是薄膜品質高、瑕疵率低，且集成了Veeco的Uniform FlowFlang®技術，具有出色的均勻性和優異的重復性。采用TurboDisc技術的設備維修需求低，從而提供最長的連續生產時間、極低微粒子產生的優越性能以及高產量。Veeco并稱K465i提供了易于調試的快速優化工藝，支持最大8英寸的晶圓。日常維護后機臺恢復迅速。
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