臺灣中興大學訂購愛思強CCS MOCVD系統用于硅基氮化鎵研發
6月26日，愛思強宣布臺灣中興大學向其訂購一套3x2英寸芯片規格的近耦合噴淋頭®(CCS) MOCVD系統。
據悉，中興大學將利用CCS系統進行在硅芯片上異質外延生長氮化鎵(“硅基氮化鎵”)技術的研發。自2001年以來，中興大學研發團隊已成功開發多項獨特的氮化鎵和磷化鋁鎵銦LED技術。如今，這個涵蓋外延生長到設備加工與包裝的綜合實驗室已經成為臺灣領先的研發中心之一。
中興大學材料科學與工程系的武教授評論說：“愛思強的近耦合噴淋頭®系統是研究硅基氮化鎵的完美選擇。中興大學精密工程研究所的洪教授補充說：“這套反應器具有適應廣泛、操作簡易的特點，且可實現我們所需要的一系列參數的可復制性，將為我們生產高質量的硅基氮化鎵外延片和其他新結構提供一臂之力。”
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