東芝聯手普瑞光電研發出8英寸硅襯底LED
東芝與普瑞光電合作僅數月，已經對外公布在8英寸硅襯底生長出高品質的GaN，所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過3.1V，電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。
合作中，東芝除了提供硅制造工藝和一些生產技術的研發支持外，還對普瑞光電進行了股權投資，看好普瑞在固態照明領域的技術創新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態照明行業為降低成本所做的努力。
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